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韩国原产地证是由韩国政府或授权机构颁发的，证明商品是在韩国生产或制造的证书。这意味着，只要商品拥有这一证书，它们就可以被视为“韩国制造”。

导语：最近清华大学SSMB同步辐射EUV光源的热度十分高，好多东说念主都觉得中国曾经处理了光刻机中最中枢的光源本领，就不错弯说念超车，打脸ASML。那么事实简直如斯吗？

一、2年前发表的SSMB论文倏得火了

2021年2月25日，清华大学工程物理系的唐传祥讲解的参议组与来自德国亥姆霍兹柏林材料与能源参议中心(HZB)，以及德国联邦物理本领参议院（PTB）的配合团队在《当然》（Nature）上发表了题为“稳态微聚束旨趣的实验演示”的参论说文。讲演了一种新式粒子加快器光源“稳态微聚束” （Steady-state microbunching，SSMB）的首个旨趣考据实验。

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SSMB宗旨是2010年由斯坦福大学讲解、清华大学了得走访讲解赵午与其博士生Daniel Ratner漠视。

2017年唐传祥与赵午牵头纠合中、德、好意思等国度的科研东说念主员，开发了国际SSMB参议组，运行鼓吹包括SSMB旨趣考据实验在内的各项参议。唐传祥参议组主导完成了实验的表面分析和物理绸缪，并开发测试实验的激光系统，与配合单元进行实验，并完成了实验数据分析与著述撰写。

SSMB这个本领不错用于制备各式大功率窄带宽的琢磨辐射光，可用于科研或者工业场景。其中就包括了EUV（极深紫外线）光刻机所需要的13.5nm的波长的极紫外光。

“SSMB光源的潜在应用之一是动作将来EUV光刻机的光源，这是国际社会高度关爱清华大学SSMB参议的弯曲原因。”唐传祥讲解说

二、 光源是光刻机的基础组件

光刻机演进是跟着光源改良和工艺立异而不停发展的，其实并非ASML制造的每个光刻系统都选择EUV开采，收尾当前，DUV（深紫外线）仍然是半导体行业的主力开采之一。为什么光刻机所用的光源波长越来越短？

1.光刻机到底需要什么样的光？

光刻分辨率是光刻曝光系统最弯曲的本领方针之一，为了兑现更精确的光刻，就必须要提高分辨率，那就只须两种行动，辨认是减少光源波长或提高数值孔径。换句话说，短波长光源、大数值孔径透镜是提高光刻机曝光分辨力的最有用行动！

DUV（深紫外线）和EUV（极深紫外线）最大的区别在光源决议。EUV的光源波长为13.5nm，但开端进DUV的光源波只须193nm，较长的波长使DUV无法兑现更高的分辨率，因此DUV只可用于制造7nm及以上制程的芯片。DUV涵盖了大部分数字芯片和险些所有这个词的模拟芯片。然则，跟着先进制程向5nm及以下先进制程进化，EUV成为了刚需。

2.SSMB为什么是EUV光刻机的潜在光源之一？

SSMB全称是稳态微聚束，是一种加快器光源，光刻机就需要这么的高质地的辐射光，而加快器光源就不错产生这种高质地的辐射光。依靠的是电子束在加快时辐射出辐射，然后通过电磁技能来增强辐射光的横向和纵向琢磨性，以达到想要的光源成果。

蓝色的是存储环，含有渊博的被加快到很快的电子束。会周期性的经过波荡器产生同步辐射，而这个波荡器中，会有一个激光来调制电子束，不错进行纵向的聚焦，从而让电子束的长度小于纵向琢磨长度，擢升琢磨性。

而经过激光调制后，会经过一个色散结对电子束的能量进行分组，让不同能量的电子沿着不同的旅途转移，于是就酿成了所谓的微聚束，这么的微聚束结构，就不错用来坐褥高琢磨性的辐射光。

把柄论文讲演基于SSMB的EUV光源有望兑现大的平均功率，这个光源脉冲相识光束比拟小，并具备向更短波长延迟的后劲，而且波长琢磨性好。为大功率EUV光源的冲突提供全新的处遐想路。

同步辐射即是应用磁场加快电子酿成环形电流，在环形电流的切线场所产生同步辐射的电磁波。电流越大，电磁波强度越大，还不错把柄需要来更动或者聘请电磁波的波长，能量准直性。

光波也属于电磁波的一种，而且同步辐射一般还都是X射线，比当今光刻机最短波长EUV极紫外光波长还要短，能量更高，准直性也更好，能够更好的聚焦能量。

高能同步辐射光源实验室我国可不缺，中国当前辨认在北京、合肥，上海建成的有3台同步辐射光源实验室，武汉，深圳、还有北京怀柔都在建第四代同步辐射光源。

要是能用同步辐射来作念光刻机光源，是不是就不错冲突光刻机“卡脖子”了？

三、 国产高端光刻机“卡脖子”难题并不是光源

把柄对外的公开报说念，其实很久以来北京和合肥的同步辐射仪器上都有特意的光刻实验线站，在作念专项参议。武汉在建的同步辐射线站在绸缪之初就曾经把极紫外光刻实验站纳入了议论。

在海外俄罗斯曾经经尝试过应用同步辐射提供光刻机光源， 2022年莫斯科电子本领学院与工业跟生意部强硬了价值6.7亿卢布大致约780万好意思元的契约。用于开发基于同步加快器和等离子体源的无掩膜X射线光刻机。另外英特尔从10年前就一直在作念这方面的基础研发。

SSMB-EUV从光刻机的角度讲，并莫得践诺应用于半导体的光刻考据，依然处于这个早期的发展阶段。只可不绝比拟有后劲动作EUV光源的一种决议。

光刻机光源职责旨趣暗意图

EUV光源分为两种，通过紫外线产生方式的不同，分为LPP EUV光源与DPP EUV光源。

LPP EUV光源是选择40千瓦的红外激光器轰击液态锡靶，产生高温等离子体然后产生13.5nm波长的EUV光源，然后经过一系列的复杂的光路聚焦和带领，就不错用来给光刻胶曝光。

DPP EUV是通过在高压下产生等离子体。当洛伦兹力缩短等离子体时,等离子体被加热,产生EUV光。

哈工大的可调谐激光本领实验室经过10多年在光源限制的参议，曾经研发出大功率的DPP EUV极紫外光源。当前DPP EUV是ASML的EUV光刻机所选择的光源。

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把柄哈工大新闻网的公开音讯，2022年底举办的世界光子大会上，哈工大学研发的“高速超精密激光干与仪”荣获首届“金燧奖”，况且该模样已兑现了小批量坐褥。超精密激光干与仪是为纳米计量测试提供中枢仪器，不错对晶圆、物镜系统、职责台位置的超精确定位，为我国高端光刻机研发提供镶嵌式在线测量技能。

空洞来看我国至少国产高端光刻机卡脖子的地方其实并不在光源。

四、国产光刻机兑现冲突到底难在哪？

ASML的光刻机靠着千里浸式及双机台等本领和好意思国的维持，2006年击败了佳能、尼康成为当前世界上独一的EUV光刻机供应商，截止至2022年底，ASML一共才出货182台EUV光刻机，每台售价特出1亿好意思元。

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EUV光刻机旨趣

而其实EUV光刻机的职责旨趣并不算复杂，即是将相配窄的光束照耀到经过“光刻胶”化学品处理的硅晶片上，在光辉与化学品战役的晶片上酿成复杂的图案，这些图案是预先全心绸缪好的。这个酿成所有这个词弯曲晶体管的经过被称为光刻。

这个经过提及来很简单，践诺上超等复杂，在指甲盖大小的晶圆上装配数以亿计的晶体管，要想将这些晶体管勾搭起来，只可选择纳米级的电路。

高端制造业的践诺即是划定罪戾，光刻机是纳米级的精度，代表着全东说念主类开端进的工艺。

要构建一台光刻机，难的不是任何一个步地，而是整台机器、所有这个词零件、所有这个词步地，一皆都要达到纳米级精度。光刻机其实是一整套完好的纳米工业。精密光学元器件，精密划定都需要精密机床高精度加工。开端进的EUV光刻机有10万个零部件，辨认来自于群众5000家供应商，供应链相配长。

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光刻机的产出是纳米级的芯片，但在它背后，能源系统、测量系统、避震系统、密封系统、液压光镜材料，每相通都需要纳米精度。而光刻胶是需要细致化工方面的冲突。

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结语：纳米级的工业体系短期之内是急不出的。新本领的冲突从设猜测与实验室步地，再到量产都需要时代，科研存在风险变数也属平淡，是以只可不务空名，坚抓在高端工业母机、高精度工业机器东说念主、高端轴承，高端化工原料等方面的研发，服气EUV光刻机的宇宙产化仅仅时代的问题。

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参考文件：

[1]Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching，Naturevolume590,pages576–579 (2021)[2]稳态微聚束加快器光源，唐传祥,邓秀杰，物理学报, 2022,71(15): 152901.

doi:10.7498/aps.71.20220486